2018-08-30
預(yù)計閃存將占據(jù)資本支出的最大份額,而DRAM資本支出今年以最高的速度增長,未來3D NAND閃存市場需求過高的風(fēng)險很高并且不斷增長......電子制作模塊
IC Insights預(yù)測,今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業(yè)在一年中首次在資本支出上花費超過1000億美元。這一1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%,比2016年增長了38%。
下圖顯示,超過一半的行業(yè)資本支出預(yù)計用于內(nèi)存生產(chǎn) - 主要是DRAM和閃存 - 包括對現(xiàn)有晶圓廠線和全新制造設(shè)施的升級。總的來說,預(yù)計今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%。存儲設(shè)備的資本支出份額在六年內(nèi)大幅增加,幾乎翻了一番,從2013年的27%(147億美元)增加到2018年的行業(yè)資本支出總額的53%(540億美元),相當(dāng)于2013-2018復(fù)合年增長率為30%。
在所顯示的主要產(chǎn)品類別中,預(yù)計DRAM / SRAM的支出增幅最大,但預(yù)計閃存將占據(jù)今年資本支出的最大份額。預(yù)計2018年DRAM / SRAM部門的資本支出將在2017年強勁增長82%后出現(xiàn)41%的增長。預(yù)計2017年閃存的資本支出將在2017年增長91%后增長13%。
經(jīng)過兩年的資本支出大幅增加,一個迫在眉睫的主要問題是,高水平的支出是否會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和價格下降。記憶市場的歷史先例表明,過多的支出通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和隨后的價格疲軟。 三星,SK海力士,美光,英特爾,東芝/西部數(shù)據(jù)/ SanDisk和XMC /長江存儲技術(shù)都計劃在未來幾年內(nèi)大幅提升3D NAND閃存容量(以及新的中國內(nèi)存創(chuàng)業(yè)公司進(jìn)入市場) ),IC Insights認(rèn)為,未來3D NAND閃存市場需求過高的風(fēng)險很高并且不斷增長。