半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)即將連續(xù)三年創(chuàng)下設(shè)備支出新高紀(jì)錄,預(yù)料2018年與2019年將分別有14%和9%的年成長(zhǎng)率,寫(xiě)下連續(xù)四年成長(zhǎng)的歷史紀(jì)錄......電子實(shí)驗(yàn)?zāi)K
根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)近日公布 " 全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告 " (World Fab Forecast) 最新內(nèi)容指出,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)即將連續(xù)三年創(chuàng)下設(shè)備支出新高紀(jì)錄,預(yù)料2018年與2019年將分別有14%和9%的年成長(zhǎng)率,寫(xiě)下連續(xù)四年成長(zhǎng)的歷史紀(jì)錄。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)立71年以來(lái),只有在1990年代中期曾出現(xiàn)設(shè)備支出連續(xù)四年成長(zhǎng)的盛況。
如下圖所示,三星(Samsung)稱(chēng)霸全球的支出金額,中國(guó)領(lǐng)先全球的增長(zhǎng)幅度,韓國(guó)與中國(guó)將引領(lǐng)這波成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
全球各地區(qū)設(shè)備支出(包括新增和翻新設(shè)備)
SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示,臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備支出金額因缺乏記憶體新廠的爆發(fā)式投資,成長(zhǎng)幅度雖不及韓國(guó)及中國(guó),但臺(tái)灣晶圓代工廠商在先進(jìn)制程及產(chǎn)能的持續(xù)投資下,未來(lái)整體支出仍將呈現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)態(tài)勢(shì);加上臺(tái)灣過(guò)去多年累積的投資,已成為全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程及量產(chǎn)的重鎮(zhèn),因此SEMI仍樂(lè)觀看待臺(tái)灣未來(lái)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2018年,三星的設(shè)備支出金額預(yù)期將減少,但該公司仍占韓國(guó)所有設(shè)備投資金額的70%。同時(shí),SK海力士(SK Hynix)則是增加在韓國(guó)的設(shè)備投資。
2018年中國(guó)大陸設(shè)備支出預(yù)期將增加65%,2019年將再成長(zhǎng)57%,但值得注意的是,2018和2019年年中國(guó)大陸投資金額當(dāng)中分別有58%和56%都是來(lái)自外資公司,例如英特爾(Intel)、SK海力士、臺(tái)積電、三星和Globalfoundries。在政府計(jì)畫(huà)的支持下,中國(guó)大陸本土業(yè)者正在興建數(shù)量可觀的新晶圓廠,2018年陸續(xù)開(kāi)始設(shè)備裝機(jī),估計(jì)這些公司2019年的設(shè)備投資將呈現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng)。
其他地區(qū)的投資金額也節(jié)節(jié)高升。2018年日本投資金額增加60%,增加幅度最高的包括東芝(Toshiba)、索尼(Sony)、瑞薩(Renesas)和美光(Micron)。2018年歐洲和地中海地區(qū)投資金額將增加12%,貢獻(xiàn)最大的業(yè)者包括英特爾、Globalfoundries和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)。
2018年?yáng)|南亞地區(qū)投資金額將成長(zhǎng)超過(guò)30%,不過(guò)受限于市場(chǎng)規(guī)模,整體支出也同比例地低于其他地區(qū)。貢獻(xiàn)最大的業(yè)者包括美光、英飛凌(Infineon)和Globalfoundries,但歐司朗(OSRAM)和奧地利微電子(ams)等公司也持續(xù)增加投資金額。