三星停電事件帶動買方備貨意愿

根據(jù)TrendForce內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)最新調(diào)查，隨著近一個月來DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)走揚，加上2019年12月31號三星華城廠區(qū)發(fā)生跳電（相關(guān)閱讀：斷電1分鐘停產(chǎn)2-3天！三星存儲工廠或損失十億韓元），雖然整體內(nèi)存的供給并沒有因此事件受到重大影響，但觀察到各產(chǎn)品別買方備貨意愿進一步增強。

因此，TrendForce再次修正2020年第一季DRAM合約價格預測，由原先的“大致持平”調(diào)整為“小漲”，價格正式提前翻轉(zhuǎn)向上。

在標準型內(nèi)存，雖然第一季的價格仍在議定中，但TrendForce預估持平甚至小漲的可能性高。之前在中美貿(mào)易關(guān)稅的不確定性下，大部分銷往美國的筆電都趕在2019年第四季出貨，導致2020年第一季的出貨較為疲弱。但考慮今年DRAM的供給位成長幅度僅不到13%，加上三星跳電事件的影響，PC OEM已做好DRAM即將漲價的可能，當前都以建立更佳的庫存水位為目標，因此在采購上愿意接受持平或更高的模塊合約價格；若原廠能夠在第一季增加供貨量，買方甚至愿意接受更高的價格，以確保安全的庫存水位。

行動式內(nèi)存方面，雖然第一季智能型手機市場在5G的議題下所有支撐，但因5G芯片初期供應數(shù)量有限，加上傳統(tǒng)淡季影響，拉貨動能依舊偏弱，因此TrendForce原先預測行動式內(nèi)存Discrete/eMCP價格將較前一季下跌0~5%。然而自去年12月中開始，除了服務器內(nèi)存與繪圖用內(nèi)存需求增溫，帶動整體價格走勢提前反轉(zhuǎn)之外，NAND Flash的供應告急同樣激勵eMCP的價格表現(xiàn)，因此將行動式內(nèi)存的價格預估由“小跌”調(diào)整為“大致持平”。

至于利基型內(nèi)存，由于三星華城廠區(qū)Line 13的DRAM生產(chǎn)重心主要為20/25nm的利基型內(nèi)存產(chǎn)品，加上受到現(xiàn)貨市場價格上揚的影響最為直接，使得利基型內(nèi)存價格將提早反彈。目前來看，雖然鎖定季度合約價(quarterly lock-in price)的第一線大客戶有機會守住持平，不過原廠的供貨達標率 (fulfillment rate)不到六成，加上采購端截至去年底皆未積極備貨，導致庫存偏低，月合約價可能將開始逐月向上；此外，重復下單(double-booking)的出現(xiàn)亦可能導致原廠的供貨達標率進一步惡化，因此第一季DDR3和DDR4的價格預估將較前一季上漲0~5%。