內(nèi)存投資帶動，2019下半年全球晶圓廠設(shè)備支出反跌回升

報(bào)告指出，2018年至2019年，晶圓廠設(shè)備投資僅下滑7%，相較于先前所預(yù)測降幅18%獲得顯著改善。

SEMI全球行銷長暨臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，“晶圓廠設(shè)備支出成長主要來自于先進(jìn)的邏輯芯片片制造與晶圓代工業(yè)者對于內(nèi)存，尤其是3D NAND的投資挹注持續(xù)成長。”

SEMI 同時(shí)修正2020年晶圓設(shè)備投資預(yù)測，總金額上修至580億美元，整體市場轉(zhuǎn)趨樂觀。

由圖1黃色趨勢線可見，內(nèi)存設(shè)備支出力道是扭轉(zhuǎn)全球晶圓廠設(shè)備支出放緩趨勢的關(guān)鍵。整體設(shè)備支出分別在2018下半年及2019上半年下降10%及12%，其中下滑主因便來自全球內(nèi)存設(shè)備支出萎縮。在2019上半年內(nèi)存設(shè)備投資下滑幅度達(dá)38%，降至100億美元的水平之下；其中又以3D NAND的設(shè)備投資下滑幅度最為慘烈，衰退57%；DRAM的設(shè)備投資也在2018下半年及2019上半年分別下滑各12%。

在臺積電與英特爾(Intel) 的引領(lǐng)下，先進(jìn)邏輯芯片制造與晶圓代工業(yè)者的投資預(yù)計(jì)在2019下半年攀升26%，而同一時(shí)期3D NAND支出則將大幅成長逾70%。盡管今年上半年對于DRAM的投資仍持續(xù)下降，但自7月份以來的下降幅度已較和緩。

報(bào)告進(jìn)一步顯示，2020上半年，受到索尼(Sony)建廠計(jì)劃的帶動，圖形感測器的投資預(yù)期將成長20%，下半年增幅更將超過90%，達(dá)16億美元高峰；另外，在英飛凌(Infineon)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)和博世(Bosch)的投資計(jì)劃，電源管理元件的投資預(yù)計(jì)大幅增長40%以上，下半年將維持成長態(tài)勢，再度上升29%，金額上看近17億美元。

在2019年11月公布的最新一期全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告(World Fab Forecast)，SEMI追蹤并更新了全球440處晶圓廠和生產(chǎn)線在2018~2020年期間的每季支出。 SEMI全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告列出1,300多處前端制程晶圓廠和生產(chǎn)線，以及135處預(yù)計(jì)在2019年或以后開始量產(chǎn)的設(shè)施，本次報(bào)告也提供每季產(chǎn)能擴(kuò)充、技術(shù)制成、3D層、產(chǎn)品類型和晶圓尺寸等各項(xiàng)晶圓廠支出。