過去兩年，存儲器芯片是驅(qū)動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出強勁增長的驅(qū)動因素。隨著存儲器產(chǎn)業(yè)的升級換代與產(chǎn)能擴張計劃都已經(jīng)完成或接近尾聲，預(yù)計今年DRAM和NAND Flash資本支出共416億美元，較去年大幅減少104億美元……
IC Insights預(yù)計，2019年存儲器產(chǎn)業(yè)資本支出將占今年半導(dǎo)體總資本支出總額的43%，低于2018年的49%(圖1)。預(yù)計2019年半導(dǎo)體總資本支出將下滑8%，至978億美元，低于2018年創(chuàng)紀(jì)錄的1059億美元。
IC Insights公布數(shù)據(jù)顯示，存儲器設(shè)備資本支出占產(chǎn)業(yè)支出比重在過去7年內(nèi)大幅增加，從2013年的27%（147億美元）增長至2018年的49%（520億美元），若今年以43%（416億美元）計算，等同于2013-2019年復(fù)合年成長率18.9％。
2017至2018年資本投入最多的IC產(chǎn)品子類是NAND Flash和非易失性存儲器。不過，在過去的18個月，隨著三星、SK海力士和美光增加DRAM和NANDFlash產(chǎn)量，而英特爾、東芝存儲器、西部數(shù)據(jù)、SanDisk、武漢新芯、以及長江存儲等廠都在加速擴充3D NAND產(chǎn)能，導(dǎo)致DRAM和NAND Flash都進入供過于求的市場局面，價格開始走低。
IC Insights預(yù)計，2019年DRAM和閃存領(lǐng)域的資本支出將分別下降19%和21%(圖2)。存儲器資本支出總額預(yù)計為416億美元，比去年減少104億美元。主要存儲器廠商希望通過大幅降低DRAM和閃存資本開支，來避免未來一年半價格繼續(xù)走低。
暴跌的單位存儲價格，以及2019年將大幅收縮的存儲器產(chǎn)業(yè)資本開支，都證明了存儲器市場格局已經(jīng)逆轉(zhuǎn)。而何時止跌，很大程度上取決于存儲器廠商如何調(diào)節(jié)資本開支，以及低價能否刺激市場需求增加。
移動設(shè)備訪問
