受多重因素影響，第三季DRAM內(nèi)存價格仍將下跌

上半年行動存儲器市場拉貨動能遲滯，供應(yīng)端的高庫存尚未去化完畢，即便受日韓原料出口管控事件的影響，市場開始出現(xiàn)價格反轉(zhuǎn)的聲浪，但依舊難敵庫存去化的壓力。

加上部分內(nèi)存（DRAM）廠雖宣稱啟動減產(chǎn)計劃，但實(shí)際規(guī)模普遍不大，多是舊制程減產(chǎn)或是制程轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的晶圓減少居多，主流產(chǎn)品未到虧損階段前，內(nèi)存（DRAM）廠的大規(guī)模減產(chǎn)機(jī)率不高，雖然現(xiàn)貨市場價格略有波動，但整體合約價格依舊維持跌價走勢。

集邦咨詢指出，受到市場上諸多不利報價的訊息干擾，第三季行動存儲器合約價格直到7月下旬才大致確定，在原廠庫存水位普遍偏高的狀態(tài)下，本季合約價跌幅依舊較大，主流規(guī)格無論是分離式(discrete)或是eMCP/uMCP產(chǎn)品價格跌幅多集中在10%-15%的區(qū)間。

另外值得關(guān)注的是，行動存儲器多以季度方式議價，亦顯示原廠對于客戶整季出貨的允諾，因此研判目前受日韓原料出口管控事件因素影響范圍有限，后續(xù)供貨暫無太大問題。

觀察今年第四季行動存儲器價格走勢，品牌廠為應(yīng)對中國農(nóng)歷新年的返鄉(xiāng)缺工潮，將提前生產(chǎn)明年1月的市場需求，預(yù)估第四季智能手機(jī)生產(chǎn)總量將持平第三季，約3.6億支；平均容量方面，受惠行動存儲器均價下跌，刺激品牌廠提高單機(jī)存儲器搭載容量，有助于加速原廠庫存去化。

另一方面，從今年第一季以來，連續(xù)三個季度價格平均下滑10%-15%，使得第三季行動存儲器均價比2016年起漲點(diǎn)時的價格低17%，已經(jīng)挑戰(zhàn)三大原廠對于總成本(fully-loaded cost)的控管極限，預(yù)估第四季的跌價幅度將較前三季度收斂，但下跌趨勢不變。

隨著制程轉(zhuǎn)進(jìn)，行動存儲器產(chǎn)品的世代也持續(xù)推出傳輸速率更快以及功耗更優(yōu)化的產(chǎn)品。

以今年來看，受惠中低階芯片亦能支援LPDDR4系列，推升LPDDR4的市占將擴(kuò)大至75%，加上原廠對于LPDDR3的供給轉(zhuǎn)趨被動，將加速LPDDR3的占比勢微，預(yù)估2020年LPDDR3的單位位元市占將低于15%。

明年雖有新世代LPDDR5搭配旗艦機(jī)種問市，但考量初期與LPDDR4系列仍有20%-25%價差，整機(jī)制造成本也高于LPDDR4系列，預(yù)估滲透率將低于10%,市場主流仍以LPDDR4系列為主。