動態(tài)信息

關(guān)注我們,了解更多動態(tài)信息

傳英特爾第一代64層QLC閃存良率只有48%

   

 

Intel發(fā)布的首款消費級QLC固態(tài)硬盤——660p,采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒,不過前第一代64層QLC閃存的良率只有48%......電子制作模塊

d本月初Intel發(fā)布了首款消費級QLC固態(tài)硬盤——660p,采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒,不過近日有消息稱,目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%。

C233DE67809C4102069203C0A2232CFDCED1B94C_size122_w560_h350.j

Intel“SSD 660p”的定位將介乎在600p及700p之間,采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒,提供512 GB,1 TB,2 TB容量可供選擇。SSD 660p專用PCI Express 3.0 x4而設(shè)計,采用M.2 2280規(guī)格,讀取傳輸速度高達1800 MB / s,寫入的傳輸速度為1100 MB / s,4k隨機讀取和寫入為150,000 IOPS。

660P搭載了慧榮SMI2263主控,帶有DRAM緩存,主控是慧榮SMI2262EN的工藝改良版,并且由Intel自主編寫固件。采用來自Intel和美光合資的IMFlash工廠的4bit QLC閃存。

 

Intel 660P采用M.2 NVMe接口,支持PCIe 3.0 x4通道,Intel官方給出的數(shù)據(jù)顯示,性能上達到主流M.2 NVMe的水準,最高連續(xù)讀寫速度可達1800MB/s。

同時,價格相當給力,512GB賣99.99美元(約合683元)。

與TLC相比,QLC NAND Flash的儲存容量將可增加33%,單顆晶片最高可達到256GB或512GB,P / E循環(huán)約為1000次左右略低于TLC,在壽命,速度及穩(wěn)定性方面QLC雖然比TLC更低,但就勝在容量更大及擁有更便宜的成本。

不過有消息稱,目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%,也就是生產(chǎn)出來的成片過半報廢。對比之下,64層TLC閃存的良率已經(jīng)達到了90%以上。

這意味著,4bit QLC看似容量密度提高了,但實際成本是高于3bit TLC的。

更糟糕的是,消息人士稱,Intel第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個生命期。

此外英特爾還準備了SSD 760p系列,M.2 2280規(guī)格,64層TLC NAND閃存,提供128GB,256GB,512GB,1TB,2TB容量,性能更高一個檔次,持續(xù)讀寫可達3.2GB / s, 1.6GB / s,隨機讀寫可達35萬IOPS,28萬IOPS,并支持AES-256硬件加密,5年產(chǎn)品保固。其中128GB至1TB今年12月份發(fā)布。

英特爾和美光除了推出64層QLC提高技術(shù)優(yōu)勢,還曾表示第三代3D NAND技術(shù)(96層)的開發(fā)將于2018年年底或2019年初交付。

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機
行車記錄儀
地址(中國):杭州市拱墅區(qū)莫干山路972號北部軟件園泰嘉園B座303室
QQ:1261061025
郵箱:master@wfyear.com
電話:800-886-8870