有消息稱(chēng)蘋(píng)果今年發(fā)布的A12處理器將會(huì)采用全新的7nm工藝，高通驍龍855、華為麒麟980等處理器也將采用7nm工藝，毫無(wú)疑問(wèn)7nm將會(huì)成為今年旗艦處理器的一個(gè)關(guān)鍵詞。

三星在本周三發(fā)布的新聞稿中宣布，全球第一個(gè)采用極紫外光（EUV）微影設(shè)備的 7 納米 LPP（Low Power Plus）制程，已準(zhǔn)備好于 2018 下半年投產(chǎn)。三星的目標(biāo)很明確，就是成為未來(lái)先進(jìn)運(yùn)算與物聯(lián)網(wǎng)芯片生產(chǎn)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，并進(jìn)而分食臺(tái)積電的晶圓代工訂單。

盡管外界看好臺(tái)積電在 7 納米制程競(jìng)賽仍居領(lǐng)先地位，但三星將是第一個(gè)在 7 納米制程導(dǎo)入 EUV 微影技術(shù)并成功量產(chǎn)的晶圓代工廠，為下一世代制程反超前臺(tái)積電奠定基礎(chǔ)。三星在新聞稿同時(shí)預(yù)告 5 納米、4 納米與 3 納米制程的開(kāi)發(fā)計(jì)劃。

其中，5nm LPE工藝相較于7nm LPP，會(huì)進(jìn)一步縮小芯片核心面積，帶來(lái)更低的功耗；4nm LPE/LPP將會(huì)成為三星最后一次在芯片上使用FinFET技術(shù)，進(jìn)步壓縮芯片面積。3nm GAAE/GAAP則采用了全新的GAA（Gate-All-Around，環(huán)繞柵極）納米技術(shù)，需要重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu)，克服當(dāng)前技術(shù)的物理、性能極限，增強(qiáng)柵極控制，性能大大提升。

調(diào)研機(jī)構(gòu) IC Insights 周二發(fā)布報(bào)告指出，三星首季半導(dǎo)體資本支出 67.2 億美元，稍高于前 3 季水平，顯示三星發(fā)展半導(dǎo)體勢(shì)頭不減。三星半導(dǎo)體部門(mén)過(guò)去 4 季累計(jì)資本支出高達(dá) 266 億美元。

整體來(lái)看，IC Insights 預(yù)估全球半導(dǎo)體業(yè) 2018 年資本支出將成長(zhǎng) 14%，較 3 月的預(yù)估值多出 6 個(gè)百點(diǎn)，且將首度超過(guò) 1 千億美元大關(guān)。據(jù)了解，目前智能手機(jī)領(lǐng)域芯片霸主寶通的7nm芯片就會(huì)由三星進(jìn)行代工，而三星的EUV產(chǎn)能也將會(huì)為智能手機(jī)、服務(wù)器、其它移動(dòng)計(jì)算設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心等場(chǎng)合提供低功耗且性能強(qiáng)勁的產(chǎn)品。

今年二月三星在其官網(wǎng)放出公告，表示將與高通進(jìn)行技術(shù)合作，合作后高通未來(lái)的驍龍芯片可以使用三星的EUV工藝打造芯片，未來(lái)使用該技術(shù)芯片的手機(jī)將有更大的空間來(lái)布置電池等其他部件。