集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，中國存儲器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于行動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營為主。以目前三家廠商的進度來看，其試產(chǎn)時間預計將在2018年下半年，隨著三大陣營的量產(chǎn)的時間可能皆落在2019年上半年，揭示著2019年將成為中國存儲器生產(chǎn)元年。

DRAMeXchange指出，從三大廠目前布局進度來看，合肥長鑫的廠房已于去年6月封頂完工，去年第三季開始移入測試用機臺。合肥長鑫目前進度與晉華集成大致雷同，試產(chǎn)時程將會落于今年第三季，量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年，時程較預期落后。此外，由于合肥長鑫直攻三大DRAM廠最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，爾后面臨專利爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的專利權外，初期可能將鎖定于中國銷售。

反觀專注于利基型記憶的晉華集成，在2016年7月宣布于福建省晉江市建12英寸廠，投資金額約53億美元，以目前進度來看，其利基型內(nèi)存的試產(chǎn)延后至今年第三季度，量產(chǎn)時程也將落在明年上半年。

此外，從中國廠商NAND Flash的發(fā)展進程來看，2016年12月底，由長江存儲主導的國家存儲器基地正式動土，官方預期分三階段，共建立三座3D-NAND Flash廠房。第一階段廠房已于去年9月完成興建，預定2018年第三季開始移入機臺，并于第四季進行試產(chǎn)，初期投片不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，并預計于自家64層技術成熟后，再視情況擬定第二、三期生產(chǎn)計劃。

DRAMeXchange指出，觀察中國存儲器廠商的研發(fā)與產(chǎn)出計劃，2019年將是中國存儲器產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年，但也由于兩家DRAM廠預估初期量產(chǎn)規(guī)模并不大，短期尚不會撼動全球市場現(xiàn)有格局。

長期來看，隨著中國存儲器產(chǎn)品逐步成熟，預計2020-2021年兩家DRAM廠商現(xiàn)有工廠將逐步滿載，在最樂觀的預估下，屆時兩家合計約有每月25萬片的投片規(guī)模，可能將開始影響全球DRAM市場的供給。另一方面，長江存儲計劃設有的三座廠房總產(chǎn)能可能高達每月30萬片，不排除長江存儲完成64層產(chǎn)品開發(fā)后，可能將進行大規(guī)模的投片，進而在未來三到五年對NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。