存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。

依2017年初計，DRAM方面，三星月產(chǎn)能12英寸40萬片，海力士 30萬片及美光33萬片，而NAND閃存，三星為40萬片，海力士為21萬片，美光與intel為27萬片，及東芝與西數(shù)(原閃廸)為49萬片，總計全球存儲器的月產(chǎn)能約為12英寸硅片240萬片。

三星的平澤廠取名Fab18, 2017 Q2量產(chǎn)，生產(chǎn)第四代64層3D NAND 閃存，第一階段月產(chǎn)能為40,000-50,000片，占生產(chǎn)線的設計產(chǎn)能200,000片的1/4，投資金額為27.2-31.7億美元。

目前三星的西安廠量產(chǎn)64層3D NAND閃存，每個12英寸硅片約有780 個256GB的管芯，當平均成品率達85%時，成本估計每個是3美元，相當于主流 2D NAND 工藝16Gb容量的價格。

而20納米的 DDR4 8Gb，每個12英寸硅片約950-1100個管芯，成品率也為85%時，每個12英寸晶園成本為1450美元，計及封裝與測試成本后，每個管芯的成本為1.79-2.24美元。

所以，未來無論是3D NAND，或者是DRAM，比拼的是每顆管芯的成本，顯然成本的壓力很大。

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析

1） DRAM

動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。

另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元僅需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DRAM則主要用于計算機的內(nèi)存條等領(lǐng)域。

圖：DRAM的器件單元圖示及其不同容量的剖面結(jié)構(gòu)圖

DRAM每一次制程的更新?lián)Q代，都需要大量的投入，以制程從30 nm更新到20 nm為例，后者需要的光刻掩模版數(shù)目增加了30%，非光刻工藝步驟數(shù)翻倍，對潔凈室廠房面積的要求也隨著設備數(shù)的上升而增加了80%以上，此前這些成本都可以通過單晶圓更多的芯片產(chǎn)出和性能帶來的溢價所彌補，但隨著制程的不斷微縮，增加的成本和收入之間的差距逐漸縮小。故各大廠商開始研究Z方向的擴展能力，三星率先從封裝角度實現(xiàn)3D DRAM，采用TSV封裝技術(shù)，將多個DRAM芯片堆疊起來，從而大幅提升單根內(nèi)存條容量和性能。

圖 ：DARM的全球市場規(guī)模

2）NAND Flash和NOR Flash

為更好地講述NAND Flash和NOR Flash這兩大存儲產(chǎn)品，我們首先來認識一下Flash技術(shù)。 　　 Flash存儲器：又稱閃存，它是一種非易失性存儲器。閃存的存儲單元是場效應晶體管，是一種受電壓控制的三端器件，由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate），以及襯底組成，在柵極與硅襯底間有二氧化硅絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。 　　 NAND的擦和寫均是基于隧道效應，電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層，對浮置柵極進行充電（寫數(shù)據(jù)）或放電（擦除數(shù)據(jù)）。而NOR擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應（電流從浮置柵極到硅基層），但在寫入數(shù)據(jù)時則是采用熱電子注入方式（電流從浮置柵極到源極）。

圖:Flash存儲器的結(jié)構(gòu)單元示意圖

**NAND Flash:**NAND是目前閃存中最主要的產(chǎn)品，具備非易失，高密度，低成本的優(yōu)勢。在NAND閃存中，數(shù)據(jù)是以位（bit）的方式保存在Memory Cell中，一個Cell存儲一個bit，這些Cell或8個或16個為單位，連成bit line，而這些line組合起來會構(gòu)成Page，而NAND閃存就是以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，以塊為單位擦除數(shù)據(jù)，故其寫入和擦除速度雖比DRAM大約慢3-4個數(shù)量級，卻也比傳統(tǒng)的機械硬盤快3個數(shù)量級，被廣泛用于 eMMC/EMCP，U盤，SSD等市場。

**NOR Flash:**NOR Flash 的特點是芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP，Execute In Place），即應用程序不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中，而是可以直接在Flash閃存內(nèi)運行。NOR 的傳輸效率很高，讀取速度也比NAND快很多，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益，然而其擦除是以64-128KB的塊為單位進行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，而NAND器件的擦除則是以8-32KB的塊為單位進行，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms，故其很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。此外，NOR的單元尺寸幾乎是NAND flash的兩倍，故在成本上也不具備優(yōu)勢，這使得NOR的使用范圍受到了更大的限制，不少曾屬于NOR的市場也慢慢被其他存儲器所奪取，但NOR flash廠商也并沒有坐以待斃，而是積極開拓汽車電子等物聯(lián)網(wǎng)市場。近年來NOR flash市場規(guī)模持續(xù)萎縮。

半導體存儲器市場被三星、海力士、美光等寡頭壟斷

半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NAND Flash，NOR Flash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，DRAM市場由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全部被三星、海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾等六家瓜分。其中三星居壟斷地位，2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。

DRAM市場發(fā)展史

DRAM領(lǐng)域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機之前的五家，分別是：三星(韓)、SK海力士(韓)、奇夢達(德)、鎂光(美)和爾必達(日)，五家公司基本控制了全球DRAM供給，終端產(chǎn)品廠商如金士頓，幾乎沒有DRAM生產(chǎn)能力，都要向它們采購原材料。按照常理來說，格局已經(jīng)趨穩(wěn)，價格戰(zhàn)理應偃旗息鼓，可惜的是，韓國人并不答應，尤其是三星。

三星充分利用了存儲器行業(yè)的強周期特點，依靠政府的輸血，在價格下跌、生產(chǎn)過剩、其他企業(yè)削減投資的時候，逆勢瘋狂擴產(chǎn)，通過大規(guī)模生產(chǎn)進一步下殺產(chǎn)品價格，從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產(chǎn)，世人稱之為“反周期定律”。在存儲器這個領(lǐng)域，三星一共祭出過三次“反周期定律”，前兩次分別發(fā)生在80年代中期和90年代初，讓三星從零開始，做到了存儲器老大的位置。但三星顯然覺得玩的還不夠大，于是在2008年金融危機前后，第三次舉起了“反周期”屠刀。

2007 年初，微軟推出了狂吃內(nèi)存的Vista操作系統(tǒng)，DRAM廠商判斷內(nèi)存需求會大增，于是紛紛上產(chǎn)能，結(jié)果Vista 銷量不及預期，DRAM 供過于求價格狂跌，加上08 年金融危機的雪上加霜，DRAM 顆粒價格從2.25 美金雪崩至0.31 美金。就在此時，三星做出令人瞠目結(jié)舌的動作：將2007 年三星電子總利潤的118%投入DRAM 擴張業(yè)務，故意加劇行業(yè)虧損，給艱難度日的對手們，加上最后一根稻草。

效果是顯著的。DRAM價格一路飛流直下，08年中跌破了現(xiàn)金成本，08年底更是跌破了材料成本。2009年初，第三名德系廠商奇夢達首先撐不住，宣布破產(chǎn)，歐洲大陸的內(nèi)存玩家就此消失。2012年初，第五名爾必達宣布破產(chǎn)，曾經(jīng)占據(jù)DRAM市場50%以上份額的日本，也輸?shù)袅俗詈笠粡埮啤Ｔ跔柋剡_宣布破產(chǎn)當晚，京畿道的三星總部徹夜通明，次日股價大漲，全世界都知道韓國人這次又贏了。

至此，DRAM領(lǐng)域最終只剩三個玩家：三星、海力士和鎂光。爾必達破產(chǎn)后的爛攤子，在2013年被換了新CEO的鎂光以20多億美金的價格打包收走。20億美金實在是個跳樓價，5年之后，鎂光市值從不到100億美元漲到460億，20億美元差不多是它市值一天的振幅。

中國存儲器三大陣營成形：福建晉華、合肥長鑫與紫光集團扛起大旗

中囯己有三家企業(yè)向存儲器芯片制造發(fā)起沖鋒，分別是武漢長江存儲的32層3D NAND閃存；福建晉華的是32納米的DRAM利基型產(chǎn)品；以及合肥長鑫(睿力)的19納米 DRAM。而且三家都聲稱2018年底前將實現(xiàn)試產(chǎn)，開通生產(chǎn)線。

如果再計及紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地，總計己有五家企業(yè)。

中國半導體業(yè)要上馬存儲器芯片制造，當時大多數(shù)人持謹慎態(tài)度，不是看輕自己，而是存儲器業(yè)的競爭太激烈。

存儲器業(yè)究竟難在那里？可能有如下幾個主要方面：

1、未見有“新進者”

自上世紀90年代之后，全球存儲器制造廠商未見有一家“新進者”，其間奇夢達倒閉，及美光兼并了爾必達，導致在DRAM領(lǐng)域全球僅存三家，包括三星、海力士與美光（中國臺灣地區(qū)的多家加起來占5%，可以忽略不計）以及NAND閃存僅存四個聯(lián)合體，包括三星、東芝與西數(shù)、海力士及美光與英特爾，其中三星居壟斷地位，2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。

2、周期起伏

存儲器業(yè)基本上的“規(guī)律”是盈利一年，虧損兩年，而三星是個例外，它獨霸天下，善于作逆向投資。如依Gartner數(shù)據(jù)，2017年全球存儲器增長64.3%，達約1200億美元，而2018年增長13.7%，及2019年下降12.9%，2020年再下降10.2%。

3、投資大，拼的是產(chǎn)能與成本

由于存儲器產(chǎn)品的特殊性，它的設計相對簡單，因此產(chǎn)品的線寬、產(chǎn)能、成品率與折舊，成為成本的最大項目。任何新進者，由于產(chǎn)能爬坡，折舊等因素幾乎無法與三星等相匹敵，所以即便舍得投入巨資，恐怕也難以取勝，其中還有專利等問題。

中國半導體業(yè)面臨艱難的抉擇，現(xiàn)實的方案是可能在處理器(CPU)與存儲器兩者之中選一，眾所周知，處理器己經(jīng)投入近20年，龍芯的結(jié)果是有成績，但是難予推廣應用。所以只能選擇存儲器是眾望所歸，僅是感覺難度太大，多數(shù)人在開始時表示猶豫而己。如今“木己成舟”，只能齊心協(xié)力，努力拼搏向前。

從存儲器產(chǎn)品中的DRAM產(chǎn)業(yè)來看，中國在發(fā)展策略上已有逐步收斂之勢，并非雜亂無章。以技術(shù)布局的角度觀察，中國DRAM領(lǐng)域中除了繪圖用內(nèi)存未有廠商布局，其他都有廠商按照計劃發(fā)展中。

中國DRAM產(chǎn)業(yè)目前已有福建晉華、合肥長鑫兩大陣營。福建晉華專注利基型內(nèi)存的開發(fā)，主攻消費型電子市場，有望憑借著中國本有的龐大內(nèi)需市場壯大自身產(chǎn)能，甚至在補貼政策下，預估最快2018年底可能將影響國際大廠在中國市場的銷售策略，并且有機會取得技術(shù)IP走向國際市場。

相較于福建晉華避開國際大廠的主力產(chǎn)品，合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式內(nèi)存產(chǎn)品。行動式內(nèi)存已是內(nèi)存類別中占比最高的產(chǎn)品，其省電技術(shù)要求極高，開發(fā)難度相當高。然而，中國品牌手機出貨已占全球逾四成，倘若LPDDR4能順利量產(chǎn)并配合補貼政策，中國政府進口取代的策略即可完成部分階段性任務。

觀察中國在NAND Flash領(lǐng)域的發(fā)展，以紫光集團旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發(fā)廠商，初期也將以中國內(nèi)需市場的布局為主。由于長江存儲開發(fā)早期技術(shù)力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產(chǎn)品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術(shù)發(fā)展來到64/96層才有機會進軍SSD市場，但此市場技術(shù)競爭相當激烈，沒有中國政府的支持，短期會難以在成本上取得優(yōu)勢，利用中國內(nèi)需市場壯大自己將是紫光集團未來可行的策略。

而武漢新芯隨著長江存儲的成立后，將專注于NOR Flash的開發(fā)，雖然長江存儲的NAND Flash試產(chǎn)線暫放在武漢新芯，但隨著長江存儲于武漢未來城基地建構(gòu)完成后，未來也將各自獨立。

以目前現(xiàn)況來看，中國發(fā)展存儲器的策略能否成功，未來的3~5年將是極其重要的關(guān)鍵期，特別是強化IP的布局，中國政府以及廠商未來必須憑借內(nèi)需市場、優(yōu)秀的開發(fā)能力，以及具國際水平的產(chǎn)能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球并占有一席之地。