全新的Gen8設計可讓高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“通過開發(fā)全新基準技術及頂尖的IGBT硅平臺,彰顯出IR在數十年來致力提升功率電子技術的承諾。我們期望為所有電動馬達提供百分之百變頻,以期更有效地使用電能及綠化環(huán)境?!?
新技術針對電機驅動應用提供更好的軟關斷功能,有助于把dv/dt降到最低,從而減少電磁干擾、抑制過壓,從而提升可靠性與耐用性。這個平臺的參數分布較窄,在高電流功率模塊內并聯起多個IGBT之時,可提供出色的電流分配。薄晶圓技術則改善了熱電阻和達到175°C的最高結溫。
潘大偉補充道:“IR的Gen8 IGBT平臺旨在為工業(yè)應用提供卓越技術。該IGBT平臺憑借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關功能,使工業(yè)市場中的艱巨難題迎刃而解?!?
產品規(guī)格
產品供應
IR Gen8 1200V IGBT平臺的樣本已開始提供給各大原始設備制造商 (OEM) 及原始設計制造商 (ODM) 合作伙伴。