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2013年DRAM產(chǎn)業(yè)新風(fēng)貌,非標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存正式上位

關(guān)鍵字:DRAM產(chǎn)業(yè)  內(nèi)存 

根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,受到終端市場需求轉(zhuǎn)變影響下,標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存產(chǎn)出比例呈現(xiàn)逐年減少的走勢,今年首度降至總產(chǎn)出的50%以下,獲利率亦屬最差的產(chǎn)品別。在非標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存方面,由于云端運算的興起以及手持式裝置的高普及性,受益最大的兩個產(chǎn)品類別即是服務(wù)器內(nèi)存及移動內(nèi)存。TrendForce表示,2013年服務(wù)器內(nèi)存及移動內(nèi)存總產(chǎn)出比重將超過四成,高過于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的位元產(chǎn)出量,正式成為供給端主流。

以現(xiàn)今的供需曲線做觀察,PC DRAM價格自今年七月起持續(xù)下探,雖見DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)逐漸往寡占市場發(fā)展,但部份DRAM廠多余產(chǎn)能尚未找到明確替代商品,為了維持產(chǎn)能利用率,仍以生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存為大宗,造成今年下半年度嚴(yán)重的供需失衡。虧損狀態(tài)以臺系DRAM廠商為最,由于在服務(wù)器與移動內(nèi)存的市占有限,標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的曝險比例相對遠(yuǎn)高出其他國際廠商,造成持續(xù)的大幅虧損,產(chǎn)能轉(zhuǎn)移或退出市場勢在必行。

TrendForce預(yù)估,由于成本結(jié)構(gòu)的差異過大,在短時間內(nèi)將帶動另一波更大幅度的減產(chǎn)潮,標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存至2013年預(yù)估更會進(jìn)一步的下滑至不到產(chǎn)出的四成,位元出貨與今年相較反而呈現(xiàn)負(fù)成長,是PC DRAM生產(chǎn)數(shù)量首度衰退的一年。

云端概念帶動服務(wù)器建構(gòu)? 明年單機搭載量達(dá)50GB以上

由服務(wù)器內(nèi)存做觀察,由于市場切入不易,此產(chǎn)品別呈現(xiàn)高度集中在一線DRAM大廠手上。若以營收而言,三星半導(dǎo)體穩(wěn)居60%以上的市占率,韓商SK Hynix與美系廠商美光半導(dǎo)體分處于市占第二與第三,而市面上數(shù)家內(nèi)存模組大廠亦摩拳擦掌,積極參與中小型企業(yè)的標(biāo)案,服務(wù)器內(nèi)存市場的寡占型態(tài)比標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存市場更加顯著。由歷史價格做觀察,由于產(chǎn)品設(shè)計與封裝型態(tài)與PC DRAM同構(gòu)型高,所以服務(wù)器內(nèi)存的價格走勢與標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存通常呈現(xiàn)高度正相關(guān),漲跌的走勢與標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存雷同,唯漲跌時間點會較標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存些微落后。

自今年下半年起,受惠于4Gb顆粒逐漸轉(zhuǎn)趨成熟,8GB模組正式成為供貨主流,價格的競爭也最為明顯,至年底前可望最低達(dá)到約美金40美元水位。另外,由于單機DRAM搭載量將可望由今年的43GB成長至明年的50GB以上,供給端因應(yīng)此趨勢,16GB內(nèi)存模組的生產(chǎn)數(shù)量亦逐步提高。由廠商的價格策略分析,預(yù)計2013下半年將正式成為出貨主流,屆時16GB的售價可望降至美金60至70美元區(qū)間,與標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存相較仍具可觀的獲利空間。有鑒于此,供給端的大廠在做制程轉(zhuǎn)進(jìn)的規(guī)劃時,紛紛將服務(wù)器內(nèi)存設(shè)定為最優(yōu)先的產(chǎn)品類別,預(yù)估將在2013年陸續(xù)轉(zhuǎn)至20納米,進(jìn)一步改善成本結(jié)構(gòu),以期增加獲利空間。

移動內(nèi)存仍為明日之星 2013年需求端位元年增長逾五成

而從移動內(nèi)存的營收市占來看,三星亦是一家獨大的態(tài)勢,其市占超過60%,但其他競爭對手如SK Hynix、Elpida、Micron等技術(shù)層級與制程轉(zhuǎn)差異性小,供給端競爭激烈,造成平均銷售單價的跌幅加劇,2012年平均以每季至少10%的速度迅速下滑。展望2013年,智能手機出貨量預(yù)估將有近三成的年增長,再配合上高增長性的單機內(nèi)存搭載量,并加計平板電腦以及Ultrabook對移動內(nèi)存的貢獻(xiàn)來計算,需求端的位元年增長將高達(dá)52.7%,為所有產(chǎn)品別當(dāng)中增長最顯著的一環(huán)。

2013年的移動內(nèi)存市場亦有多元化的走勢。首先LPDDR3的問世將是各家產(chǎn)品發(fā)展的重點,規(guī)格上來看,耗電量除可與LPDDR2不相上下,運作頻率更可望進(jìn)一步提高,加速系統(tǒng)流暢運作,除了智能手機以及平板電腦以外,高端Ultrabook亦可望搭載LPDDR3,TrendForce預(yù)估由于LPDDR3的應(yīng)用廣泛,市場端接受度將快速成長,預(yù)計在正式量產(chǎn)以后的三個季度內(nèi)就會與LPDDR2同價,2014年將正式成為移動內(nèi)存的主流應(yīng)用。

除了LPDDR3新產(chǎn)品問世以外,移動內(nèi)存與eMMC相結(jié)合的eMCP封裝由于相對具有成本優(yōu)勢,亦有效的縮短客戶的驗證時程,頗受需求端客戶青睞,在移動內(nèi)存的比例將大幅提升,至2013年年底預(yù)計將有4成以上的占有率,亦成為各家DRAM廠競逐的重點產(chǎn)品之一。目前eMCP技術(shù)最為成熟的廠商仍為兩大韓系大廠,尤其以三星的成熟度最高,寡占市場型態(tài)下價格下跌的速度相較于其他產(chǎn)品別較不顯著,但于明年起將會有新競爭廠商的加入,自2013年下半年度的跌價將會加速。由目前的市價做計算,LPDDR2 2Gb顆粒價格與標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存DDR3 2Gb相較仍有約三倍的差距,廠商在該領(lǐng)域的獲利程度仍遠(yuǎn)高過于PC DRAM,將會吸引更多廠商加入該市場的競爭,成為各家競逐的主要戰(zhàn)場。

DRAM產(chǎn)業(yè)大者恒大 三星策略牽動產(chǎn)業(yè)發(fā)展

2013年DRAM產(chǎn)業(yè)版圖大致抵定下,制程技術(shù)領(lǐng)先的DRAM廠商與其他競爭對手技術(shù)甚至超過二個世代下,成本結(jié)構(gòu)迥異亦造成盈虧狀況明顯的不同。市占第一的三星半導(dǎo)體已經(jīng)奪下近二分之一的產(chǎn)業(yè)營收,高度集中的市場型態(tài)儼然形成,三星半導(dǎo)體對于內(nèi)存產(chǎn)業(yè)后續(xù)的策略規(guī)劃將會左右DRAM供應(yīng)鏈生態(tài)以及價格走勢。

日前三星已經(jīng)宣布內(nèi)存于2013年的總資本支出將會降至今年的5成以下,顯見即便連年獲利的企業(yè)對DRAM后續(xù)市場發(fā)展也呈現(xiàn)較為保守的態(tài)勢。由制程演進(jìn)做觀察,當(dāng)制程轉(zhuǎn)進(jìn)25納米,物理極限加上現(xiàn)有機臺無法再往先進(jìn)制程邁進(jìn)下,后續(xù)制程演進(jìn)將會牽涉到EUV機臺。除了資本支出將大幅擴大外,進(jìn)入2X納米領(lǐng)域的的門坎將更高,營運風(fēng)險增大。TrendForce認(rèn)為,三星的態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守對長期產(chǎn)業(yè)的均衡有穩(wěn)定的效果,獲利率的重要性顯然高于增加市占。后續(xù)DRAM產(chǎn)業(yè)的營收與獲利是否可以回歸健康面將有賴于剩余產(chǎn)能的退出或轉(zhuǎn)型,DRAM產(chǎn)業(yè)的版圖在進(jìn)入EUV時代后預(yù)計可望呈現(xiàn)較有市場機制的供需狀態(tài)。

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機
行車記錄儀
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