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JEDEC發(fā)布DDR4存儲器標(biāo)準(zhǔn)

關(guān)鍵字:JEDEC  DDR4 

全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)機構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會于美國時間9月25日發(fā)布廣為業(yè)界期待的DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定旨在提高性能與可靠性的同時降低功耗。因此,相較于此前的DRAM內(nèi)存技術(shù),DDR4代表著實質(zhì)性的進步。新的DDR4 標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)可通過JEDEC官方網(wǎng)站免費下載。具體下載鏈接為: http://www.jedec.org/standards-documents/results/jesd79-4%20ddr4.

DDR4標(biāo)準(zhǔn)提供了一系列創(chuàng)新性功能設(shè)計,旨在提高操作速度并支持在服務(wù)器、手提電腦、桌面電腦以及消費電子等多種產(chǎn)品上的廣泛應(yīng)用。在其諸多優(yōu)勢之外,該新標(biāo)準(zhǔn)的一個設(shè)計目標(biāo)是簡化遷移過程并支持全行業(yè)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的采用。

為了幫助業(yè)界理解并及早采用DDR4標(biāo)準(zhǔn),JEDEC將于10月30 - 31日在美國加州圣克拉拉市舉辦為期兩天的DDR4技術(shù)培訓(xùn)會。 培訓(xùn)會的注冊與日程安排信息見:http://www.jedec.org/ddr4workshop。

DDR4每管腳傳輸速率設(shè)定為每秒1.6千兆至最高每秒3.2千兆的初始目標(biāo)。鑒于DDR3標(biāo)準(zhǔn)曾經(jīng)超過了當(dāng)初設(shè)定的每秒1.6千兆的目標(biāo)速率,可以預(yù)料的是,在未來DDR4的版本更新時更高的傳輸速率等級可能被添加。其他與計劃的速率等級緊密交織,支持設(shè)備性能與應(yīng)用采納的特性包括:DQ總線上的偽漏極開路輸出接口、每個DQ每秒2,667MT及以上的降檔模式、 存儲庫群架構(gòu)、 內(nèi)部生成的VrefDQ 以及改進的培訓(xùn)模式。

DDR4是帶兩個或4個可選存儲庫群的8n預(yù)取架構(gòu)。該種設(shè)計允許DDR4存儲器設(shè)備在每個單獨的存儲庫群分別運行激活、讀取、寫入或刷新等操作。該設(shè)計還將提高總體存儲器效率與帶寬,特別是當(dāng)所用存儲顆粒較小時。

此外,DDR4的設(shè)計使得堆疊存儲器件在整個技術(shù)生命周期內(nèi)都可能是關(guān)鍵因素。多達8個存儲器件的堆疊可能只有一個單一的信號負載。

負責(zé)該標(biāo)準(zhǔn)制定的JEDEC JC42.3小組委員會主席喬·麥克利指出:“JEDEC DDR4標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布是全球存儲器件、系統(tǒng)、部件以及模組生產(chǎn)商多年不懈努力的結(jié)果。該項新標(biāo)準(zhǔn)將推動下一代系統(tǒng)實現(xiàn)更高性能,大幅度提高封裝密度與可靠性,同時降低功率消耗。”

“產(chǎn)業(yè)界期盼該標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布已經(jīng)有些時日了,” JC-42委員會主席,瀾起科技執(zhí)行付總裁羅丹盛指出?!耙寻l(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)將為DDR4標(biāo)準(zhǔn)器件的早期采用者提供必要的關(guān)鍵信息。隨后的發(fā)布將計劃包括在本次發(fā)布時尚未最后確定的內(nèi)容信息。同所有JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化活動一樣,我們非常歡迎產(chǎn)業(yè)界的廣泛參與。有意參加JEDEC標(biāo)準(zhǔn)化活動的公司可以訪問JEDEC網(wǎng)站(http://www.jedec.org)了解詳細信息,或者致電 703-907-7560獲取更多信息。

產(chǎn)業(yè)對DDR4的支持

“在JEDEC DDR4規(guī)范完成之后,三星將繼續(xù)提供高性能、低功耗的DRAM解決方案,以便推動最先進的下一代綠色IT系統(tǒng)的發(fā)展。” 三星電子存儲器產(chǎn)品規(guī)劃、應(yīng)用與工程,器件解決方案高級付總裁Byungse So指出。 “我們將繼續(xù)同全球客戶一起努力,開發(fā)節(jié)能的經(jīng)濟性IT系統(tǒng),開拓主要存儲器市場,支持最先進的計算模式與解決方案。”

"DDR4標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布是一個偉大的里程碑,標(biāo)志著下一代DRAM存儲器的推出。"美光DRAM市場營銷付總裁羅伯特·福爾樂指出。 "在性能與功耗方面的進步使得DDR4成為下一代企業(yè)與消費者產(chǎn)品的有吸引力的存儲解決方案。我們將期待著該技術(shù)被推向市場。"

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機
行車記錄儀
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