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三星西安閃存廠動土,預(yù)計(jì)2014年開始運(yùn)轉(zhuǎn)

關(guān)鍵字:閃存 

韓國大廠三星電子(Samsung Electronics)位于中國西安的NAND閃存新廠日前舉行動土典禮;三星在初期將投資23億美元建設(shè)新廠,預(yù)定2014年開始運(yùn)轉(zhuǎn),總投資額估計(jì)70億美元。不過三星未公布該座新廠的產(chǎn)能時(shí)程目標(biāo)。

三星的西安新廠將追隨該公司位于韓國華城的Line 16內(nèi)存廠,采用10納米等級──在10納米至19納米之間──制程節(jié)點(diǎn),所生產(chǎn)的內(nèi)存將提供IT設(shè)備、智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用。三星并表示,中國西安廠的激活將有助于該公司全球制造網(wǎng)絡(luò)的“平衡”,并有助于拓展當(dāng)?shù)乜蛻簟?

在西安廠動土典禮上,三星也宣布展開與中國當(dāng)?shù)財(cái)?shù)所大學(xué)的合作計(jì)劃,包括培育本土人才的獎學(xué)金;據(jù)了解,西安共有37所大學(xué),以及3,000個(gè)IT技術(shù)研發(fā)中心。

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
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HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
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