動態(tài)信息

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  • 貼片式電容生產(chǎn)材料介紹

      貼片電容(MLCC)的穩(wěn)定性及容量精度與其采用的介質(zhì)材料存在對應(yīng)關(guān)系,主要分為三大類別: 一、是以COG/NPO為I類介質(zhì)的高頻電容器,其溫度系數(shù)為±30ppm/℃,電容量非常穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變...

    2013-3-30
  • 常用電阻對比,那種更適合你?

    隨著應(yīng)用的普及,晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括ESD保護(hù)、熱電動勢(EMF)、電阻熱系數(shù)(TCR)、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。 以下技術(shù)對比中將討論線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用。不過請注意,線繞電阻沒有晶片型,因...

    2013-3-30
  • 如何選擇ESD防護(hù)TVS?(LTP篇)

    目前消費(fèi)性電子產(chǎn)品也都必需通過IEC61000-4-2的靜電放電測試要求。TVS(TransientVoltageSuppressor)便是專門設(shè)計(jì)用于吸收ESD能量并且保護(hù)系統(tǒng)免于遭受ESD損害的保護(hù)組件,因此如何選擇適當(dāng)?shù)腡VS以提高電...

    2013-3-30
  • 什么是考畢茲振蕩器?

    電容三點(diǎn)式振蕩器即考畢茲振蕩器是自激振蕩器的一種。圖中的L、C1、C2組成諧振回路,作為晶體管放大器的負(fù)載阻抗。反饋信號從電容器C2兩端取得,送回放大器的基極b上,而且也是將LC回路的三個端點(diǎn)分別與晶體管的三個電極相連,故將這種電路成為電容...

    2013-3-30
  • 安森美新開關(guān)電池充電方案應(yīng)對便攜設(shè)備充電挑戰(zhàn)

    近年來,智能手機(jī)、平板電腦等便攜設(shè)備市場強(qiáng)勁發(fā)展,更大尺寸的屏幕日漸流行,消費(fèi)者對應(yīng)用處理器、圖形處理器及外設(shè)的電源管理體驗(yàn)的要求越來越高。這些促使便攜設(shè)備采用更大容量的電池,如一些最新智能手機(jī)配備了2000mAh甚至達(dá)3000mAh電池,...

    2013-3-30
  • 微壓力傳感器的靈敏度和線性度問題的探討

    2013-3-30
  • 微壓力傳感器的靈敏度和線性度問題的探討

    微傳感器是設(shè)備中的主要產(chǎn)品,在已開發(fā)的產(chǎn)品中微傳感器占到很大的比例。微傳感器的體積小、功耗低、響應(yīng)快、便于和信號處理部分集成以構(gòu)成微傳感器測試系統(tǒng)、這些特性使其可以應(yīng)用于汽車、航空航天、電機(jī)、醫(yī)學(xué)、家用電器、生物化學(xué)、環(huán)境檢測等廣闊領(lǐng)域。 ...

    2013-3-30
  • 關(guān)于安規(guī)電容的幾個知識點(diǎn)

    安規(guī)電容是指用于這樣的場合,即電容器失效后,不會導(dǎo)致電擊,不危及人身安全.它包括了X電容和Y電容。x電容是跨接在電力線兩線(L-N)之間的電容,一般選用金屬薄膜電容;Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間(L-E,N-E)的電容,一般是成對出...

    2013-3-30
  • MLCC選型指導(dǎo)

    MLCC雖然是比較簡單的,但是,也是失效率相對較高的一種器件。失效率高,一方面是MLCC結(jié)構(gòu)固有的可靠性問題,另外還有選型問題以及應(yīng)用問題。 由于電容算是簡單的器件,所以有的設(shè)計(jì)工程師由于不夠重視,從而對MLCC的獨(dú)有特性不了解。在理想化...

    2013-3-30
  • 安裝不妥案例:整流二極管緊貼電路板

    上圖所示整流電路.使用中整流橋出現(xiàn)破裂.濾波電容冒煙。進(jìn)一步檢查發(fā)現(xiàn)整流橋發(fā)熱較嚴(yán)重,由于其引腳被剪短后緊阽印板安裝.其周邊印板已呈現(xiàn)焦黃色。 一、原因 圖1電路中,交流正半周時D1、D3導(dǎo)通;負(fù)半月時D2、D4導(dǎo)通;整六電流同...

    2013-3-30
  • 開關(guān)電源中模塊的應(yīng)該之浪涌抑制模塊

    目前,考慮到體積,成本等因素,大多數(shù)AC/DC變換器輸入整流濾波采用電容輸入式濾波方式,電路原理如圖1所示。由于電容器上電壓不能躍變,在整流器上電之初,濾波電容電壓幾乎為零,等效為整流輸出端短路。如在最不利的情況(上電時的電壓瞬時值為電源電...

    2013-3-30
  • 場效應(yīng)管擊穿原因分析

    場效應(yīng)管(MOS管)被擊穿的原因及解決方案如下:   第一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。雖然MOS輸入...

    2013-3-30
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